[发明专利]发光半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201080024735.8 | 申请日： | 2010-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102460743A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 弗拉德斯拉夫·E·鲍格诺夫;马克西姆·A·欧得诺莱多夫;米卡尔·缪洛 | 申请（专利权）人： | 奥普特冈有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;郑霞 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的发光半导体器件(1)由第III族金属的氮化物制成，并且包括层结构，所述层结构包括n型半导体层(2)、p型半导体层(3)、在n型半导体层和p型半导体层之间的活性区(4)。层结构具有被n型半导体层和p型半导体层之一限定的接触表面(5)，并且还包括附接于接触表面的反射接触结构(6)。根据本发明，反射接触结构(6)包括：第一透明导电氧化物(TCO)接触层(13)，其具有多晶结构，附接于层结构的接触表面(5)；第二透明导电氧化物(TCO)接触层(14)，其具有非结晶结构；以及附接于第二TCO层的金属反射层(15)。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光半导体器件(1)，其由第III族金属的氮化物制成，所述器件包括层结构，所述层结构包括n型半导体层(2)、p型半导体层(3)、在所述n型半导体层和所述p型半导体层之间的活性区(4)，所述层结构具有由所述n型半导体层和所述p型半导体层之一限定的接触表面(5)，所述结构还包括附接于所述接触表面的反射接触结构(6)，其特征在于，所述反射接触结构(6)包括：‑第一透明导电氧化物(TCO)接触层(13)，其具有多晶结构，附接于所述层结构的所述接触表面(5)，‑第二透明导电氧化物(TCO)接触层(14)，其具有非结晶结构，以及‑附接于所述第二TCO层的金属反射层(15)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥普特冈有限公司，未经奥普特冈有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080024735.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
