[发明专利]连续进给化学气相淀积系统无效
| 申请号： | 201080024861.3 | 申请日： | 2010-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102460647A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | E·A·阿莫尔;W·E·奎恩;P·斯费尔拉佐 | 申请（专利权）人： | 维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王初 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种连续进给CVD系统，包括晶片运送机构，该晶片运送机构在CVD处理期间将晶片运送通过淀积腔室。淀积腔室限定通道，晶片在由晶片运送机构运送的同时通过该通道。淀积腔室包括多个处理腔室，这些处理腔室由屏障隔离，这些屏障保持在多个处理腔室中的每一个腔室中的分立的工艺化学性质。多个处理腔室中的每一个腔室包括气体输入端口和气体排出端口、及多个CVD气体源。多个CVD气体源的至少两个联接到多个处理腔室中的每一个腔室的气体输入端口上。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 进给 化学 气相淀积 系统 | ||
【主权项】：
一种连续进给CVD系统，包括：a.晶片运送机构，它在CVD处理期间运送晶片；b.淀积腔室，其限定一通道，所述晶片在由所述晶片运送机构运送的同时通过该通道，所述淀积腔室包括多个处理腔室，这些处理腔室由屏障隔离，这些屏障保持在所述多个处理腔室中的每一个腔室中的分立的工艺化学性质，所述多个处理腔室中的每一个腔室包括气体输入端口和气体排出端口；以及c.至少一个CVD气体源，它联接到所述多个处理腔室中的每一个腔室的所述气体输入端口上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
