[发明专利]具有纳米级结构的三维染料敏化太阳能电池无效
| 申请号： | 201080025324.0 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102484152A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 陈星皓;迈克尔·J·托波尔;克里斯廷·科博;赛勒斯·拉斯托姆基;柳政均 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了方法、装置、材料和系统，以形成太阳能电池。在一个方面中，装置包括高效染料敏化太阳能电池(DSSC)。DSSC包括三维纳米结构的电极。三维纳米结构的电极可以包括阴极、电解液、阳极和涂敷在阳极上的光敏染料，阳极包括以三维结构设置的TiO2纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 结构 三维 染料 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种装置包括：染料敏化太阳能电池，包括三维纳米结构电极，其中所述三维纳米结构电极包括：阴极；电解液；阳极，所述阳极包括以三维结构设置的二氧化钛(TiO2)纳米管；以及涂敷在所述阳极上的光敏染料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
