[发明专利]制造碳化硅衬底的方法无效
| 申请号： | 201080025658.8 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102471928A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 西口太郎;佐佐木信;原田真;冲田恭子;井上博挥;并川靖生 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B33/06;H01L21/203 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 由碳化硅制成的支撑部(30c)在其主面(FO)的至少一部分上具有凹凸起伏。堆叠支撑部(30c)和至少一个单晶衬底(11)，使得由碳化硅制成的至少一个单晶衬底(11)中的每个的背面(B1)和具有形成的凹凸起伏的支撑部(30c)的主面(FO)彼此接触。为了接合至少一个单晶衬底(11)中的每个的背面(B1)与支撑部(30c)，加热支撑部(30c)和至少一个单晶衬底(11)，使得支撑部(30c)的温度超过碳化硅的升华温度，并且至少一个单晶衬底(11)中的每个的温度低于上述支撑部(30c)的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下各步骤：准备至少一个单晶衬底(11)，每个单晶衬底具有背面(B1)且由碳化硅制成；准备具有主面(FO)且由碳化硅制成的支撑部(30c)，所述支撑部的所述主面的至少一部分具有凹凸起伏；堆叠所述支撑部和所述至少一个单晶衬底，使得每个所述至少一个单晶衬底的所述背面和具有所述凹凸起伏的所述支撑部的所述主面形成为彼此接触；以及为使得每个所述至少一个单晶衬底的所述背面连接至所述支撑部，加热所述支撑部和所述至少一个单晶衬底，以使得所述支撑部的温度超过碳化硅的升华温度，并且每个所述至少一个单晶衬底的温度低于所述支撑部的温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080025658.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
