[发明专利]极限流速和/或高温流体递送基体有效
申请号: | 201080025900.1 | 申请日: | 2010-06-09 |
公开(公告)号: | CN102804335A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 基姆·恩格西·乌 | 申请(专利权)人: | 威斯塔德尔特有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 流动基体包括有第一表面和对置的第二表面的主体、众多对在主体的第一表面中定义的端口、众多在每对相应的端口之间延伸并且与相应的成对端口的每个端口流体连通的流动路径以及至少一个盖板。每条流动路径都是在主体的第二表面中形成的。所述至少一个盖板有构造适合密封至少一条流动路径的第一表面和对置的第二表面。至少主体和所述至少一个盖板之一包括在至少主体的第二表面和所述至少一个盖板第二表面之一上形成的焊接结构,其构造适合包围那至少一条流动路径而且有利于沿着该焊接结构将所述至少一个盖板焊接到主体上。 | ||
搜索关键词: | 极限 流速 高温 流体 递送 基体 | ||
【主权项】:
一种流动基体,其中包括:由一块坚硬的第一材料形成的基体主体,该基体主体有第一表面和与第一表面对置的第二表面;众多对在基体主体的第一表面中定义的零部件导管端口;众多在每对相应的零部件导管端口之间延伸并且与相应的成对零部件导管端口的每个零部件导管端口流体连通的流动路径,每条单独的流动路径都是在基体主体的第二表面中形成的;以及至少一个由第二材料形成的盖板,至少一个盖板有构造适合密封众多流动路径之中的至少一条流动路径的第一表面和与所述至少一个盖板的第一表面对置的第二表面;其中至少基体主体和所述至少一个盖板之一包括至少在基体主体的第二表面和所述至少一个盖板的第二表面之一上形成的焊接结构,该焊接结构的构造适合包围那至少一条流动路径而且有利于沿着该焊接结构将所述至少一个盖板焊接到基体主体上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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