[发明专利]通过分子键合来键合的方法有效
| 申请号： | 201080025954.8 | 申请日： | 2010-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102804337A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | C·拉加赫布兰夏德;M·布罗埃卡特;A·卡斯特克斯 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种在至少一个下方晶片(20)和上方晶片(30)之间通过分子键合来键合的方法包括将所述上方晶片放置在所述下方晶片上。根据本发明，对两个晶片(30，20)的至少其中之一的外周侧面(22，32)施加接触力(F)，以便在两个晶片之间引发键合波。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 分子 键合来键合 方法 | ||
【主权项】：
一种在至少一个下方晶片(20)和上方晶片(30)之间通过分子键合来键合的方法，包括将所述上方晶片的下表面放置在所述下方晶片的上表面的上方，其特征在于，对两个晶片(30，20)的至少其中之一的外周侧面(22，32)施加接触力(F)，以便在两个晶片之间引发键合波，所述外周侧面对应于两个晶片其中之一的位于所述晶片的外周处以及不与所述晶片的表面平行的任意部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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