[发明专利]成膜装置以及成膜方法无效
| 申请号： | 201080026167.5 | 申请日： | 2010-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102471877A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 杨晶;王琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 该成膜装置(1)包括：腔室(2)，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)与所述靶(3)这两者；排气部，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，具有第一产生部(13u)和第二产生部(13d)，以满足关系式Id＜Iu的方式向所述第一产生部(13u)和所述第二产生部(13d)施加电流，产生垂直磁场以使垂直的磁力线在所述溅射面(3a)的整个面与所述被处理体(W)的所述成膜面的整个面之间以规定的间隔通过，所述第一产生部(13u)被施加用Iu定义的电流值并被配置在离所述靶(3)近的位置，所述第二产生部(13d)被施加用Id定义的电流值并被配置在离所述被处理体近的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种成膜装置，其特征在于，包括：腔室，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体与具有溅射面的靶相对置的方式配置有所述被处理体与所述靶这两者；排气部，对所述腔室内进行减压；第一磁场产生部，在露出所述溅射面的所述内部空间中产生磁场；直流电源，向所述靶施加负的直流电压；气体导入部，向所述腔室内导入溅射气体；以及第二磁场产生部，具有第一产生部和第二产生部，以满足关系式Id＜Iu的方式向所述第一产生部和所述第二产生部施加电流，产生垂直磁场而使垂直的磁力线在所述溅射面的整个面与所述被处理体的所述成膜面的整个面之间以规定的间隔通过，所述第一产生部被施加用Iu定义的电流值并被配置在离所述靶近的位置，所述第二产生部被施加用Id定义的电流值并被配置在离所述被处理体近的位置。
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