[发明专利]用于制备合成蒙脱石矿物质的高剪切方法有效
| 申请号： | 201080026175.X | 申请日： | 2010-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102802763A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | Z·王 | 申请（专利权）人： | 安柯国际有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/02 | 分类号： | B01D53/02;B01D53/64;B01D53/86;B01D53/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： |
一种制备汞吸附剂材料的方法，包括：混合干粘土和干铜源以制备铜/粘土混合物；混合干粘土和干硫源以制备硫/粘土混合物；混合铜/粘土混合物和硫/粘土混合物，以形成汞吸附剂预混合物；以及对汞吸附剂预混合物施加剪切以形成汞吸附剂材料。当汞吸附剂材料含有少于4wt％的水时，汞吸附剂材料具有少于 |
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| 搜索关键词： | 用于 制备 合成 石矿 物质 剪切 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备汞吸附剂材料的方法，该方法包括：混合铜/粘土混合物和硫/粘土混合物以形成汞吸附剂预混合物，其中，所述铜/粘土混合物包含粘土和铜盐，所述硫/粘土混合物包含粘土和硫源，以及剪切所述汞吸附剂预混合物以形成汞吸附剂材料；其中，当汞吸附剂材料含有少于4重量％的水时，汞吸附剂材料具有小于![]()
的d(001)层间距，所述汞吸附剂材料的粉末X射线衍射图基本上没有出现位于![]()
处的衍射峰，并且所述汞吸附剂材料的ζ-电位高于干粘土的ζ-电位。
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