[发明专利]多晶硅太阳能电池用合成发光变换器及基于此的太阳能电池元件无效
申请号: | 201080026315.3 | 申请日: | 2010-07-22 |
公开(公告)号: | CN102511084A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 成载硕;赵诚梅;朴万雄;秋绔莲;孙锡振;李台范;羅宇苏晬亲 | 申请(专利权)人: | 赵诚梅;成载硕 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及多晶太阳能电池用合成发光变换器及基于此的太阳能电池元件,在使用多晶硅的太阳能电池元件的上部表面形成合成发光变换器且用电极带连接,并且隔着上述太阳能电池元件和合成发光变换器在其上部和下部分别形成乙烯-醋酸乙烯酯板,在上述乙烯-醋酸乙烯酯板的上部配置透光的低铁钢化玻璃,而在下部配置固定由氟膜或PET膜构成的背板来形成多晶太阳能电池元件,上述太阳能电池元件包括合成发光变换器,上述合成发光变换器在具有电极的多晶硅晶片的表面形成高分子层作为含有发光成分的高分子粘结剂,上述高分子层用两种纳米无机成分或附加碳纳米管来形成变换器内的活性填充物质,上述两种纳米无机成分中一种由球形的发光纳米硅形成,而另一种由以被Yb、Er、Ho等的离子激活的稀土元素的氧硫族元素化物为基础的反斯托克斯荧光体的纳米粒子形成,之外再合成碳纳米管,从而与未使用合成发光变换器的太阳能电池相比,与多结晶多晶硅晶片的表面接触来增加开路电压、短路电流、填充因子等电性参数,使得太阳能电池的发电效率增加至17~19%。 | ||
搜索关键词: | 多晶 太阳能电池 合成 发光 变换器 基于 元件 | ||
【主权项】:
一种多晶太阳能电池用合成发光变换器及基于此的太阳能电池元件,其特征在于,用多晶硅形成太阳能电池元件,在上述太阳能电池元件的上部表面形成合成发光变换器且用电极带连接,隔着上述太阳能电池元件和合成发光变换器在其上部和下部分别形成乙烯‑醋酸乙烯酯板,在上述乙烯‑醋酸乙烯酯板的上部配置透光的低铁钢化玻璃,而在下部配置固定由氟膜或PET膜构成的背板来形成多晶太阳能电池元件,上述合成发光变换器在具有电极的多晶硅晶片的表面形成高分子层作为含有发光成分的高分子粘结剂,上述高分子层用两种纳米无机成分形成变换器内的活性填充物质,上述两种纳米无机成分中一种由球形的发光纳米硅形成,而另一种由以被Yb、Er、Ho等的离子激活的稀土元素的氧硫族元素化物为基础的反斯托克斯荧光体的纳米粒子形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的