[发明专利]晶体管系存储器单元及相关的操作方法有效
| 申请号： | 201080026627.4 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102473451A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 赵显真 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;H01L21/8244;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 无负载静态随机存取存储器单元(200)包含四个晶体管(202、204、206、208)。第一晶体管(202)具有对应于字线的栅极端(220)、对应于第一位线(212)的源极/漏极端(222)、和对应于第一储存节点(226)的漏极/源极端(224)。第二晶体管(204)具有对应于字线(210)的栅极端(230)、对应于第二位线(214)的源极/漏极端(232)、和对应于第二储存节点(236)的漏极/源极端(234)。第三晶体管(206)具有耦接至该第二储存节点(236)的栅极端(240)、耦接至该第一储存节点(226)的漏极端(242)、对应于参考电压的源极端(224)、和直接连接至该第三栅极端(240)的主体端(246)。第四晶体管(208)具有耦接至该第一储存节点(226)的栅极端(250)、耦接至该第二储存节点(236)的漏极端(252)、对应于该参考电压的源极端(254)、以及直接连接至该第四栅极端(250)的主体端(256)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 存储器 单元 相关 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器单元(200)包括：第一晶体管(202)，具有对应于该存储器单元(200)的字线(210)的第一栅极端(220)、对应于该存储器单元(200)的第一位线(212)的第一源极/漏极端(222)、以及对应于该存储器单元(200)的第一储存节点(226)的第一漏极/源极端(224)；第二晶体管(204)，具有对应于该存储器单元(200)的该字线(210)的第二栅极端(230)、对应于该存储器单元(200)的第二位线(214)的第二源极/漏极端(232)、以及对应于该存储器单元(200)的第二储存节点(236)的第二漏极/源极端(234)；第三晶体管(206)，具有耦接至该第二储存节点(236)的第三栅极端(240)、耦接至该第一储存节点(226)的第三漏极端(242)、对应于参考电压的第三源极端(244)、以及直接连接至该第三栅极端(240)的第三主体端(246)；以及第四晶体管(208)，具有耦接至该第一储存节点(226)的第四栅极端(250)、耦接至该第二储存节点(236)的第四漏极端(252)、对应于该参考电压的第四源极端(254)、以及直接连接至该第四栅极端(250)的第四主体端(256)。
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