[发明专利]用于增强型镶嵌金属填充的润湿预处理的设备有效
| 申请号： | 201080026847.7 | 申请日： | 2010-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102804343A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·T·迈尔;戴维·W·波特;马克·J·威利;罗伯特·拉什 | 申请（专利权）人： | 诺发系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示预润湿设备设计和方法。这些设备设计和方法用以在于晶片的表面上镀敷金属之前预润湿所述晶片。所揭示的预润湿流体的组合物防止所述晶片上的晶种层的腐蚀，且还改善所述晶片上的特征的填充速率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 镶嵌 金属 填充 润湿 预处理 设备 | ||
【主权项】：
一种用于在以电解方式处理晶片衬底之前预润湿所述晶片衬底的设备，所述设备包括：脱气器，其经配置以用于在预润湿之前从预润湿流体中移除一种或一种以上溶解气体；处理腔室，其具有用于接纳所述预润湿流体的入口，其中所述处理腔室经配置以用于在低于大气压的压力下以经脱气预润湿流体来预润湿所述晶片衬底；以及晶片固持器，其定位于所述处理腔室内且经配置以在所述预润湿过程期间固持所述晶片衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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