[发明专利]用脉冲等离子体进行的原子层蚀刻有效
| 申请号： | 201080026879.7 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102934208B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 文森特·M·唐纳利;多美崔·J·埃科诺穆 | 申请（专利权）人： | 休斯敦大学体系 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 戚传江,穆德骏 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种快速原子层蚀刻(ALET)的系统和方法，该系统包括具有螺旋线圈电极的脉冲等离子体源、冷却法拉第屏蔽、设置在管顶部的对向电极、气体入口、以及包括衬底支撑件和边界电极的反应室。该方法包括将可蚀刻的衬底设置在等离子体蚀刻室中；在衬底表面上形成产物层；通过脉动等离子体源来去除产物层的一部分；然后重复形成产物层的步骤和去除产物层的一部分的步骤，以形成经蚀刻的衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 等离子体 进行 原子 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种用于原子层蚀刻的系统，包括：脉冲等离子体源，其包括：螺旋线圈电极，其围绕管设置；入口，其与工艺气体源流体连通；以及反应室，其与所述脉冲等离子体源流体连通，其中所述反应室包括：衬底支撑件；对向电极；以及边界电极，其中，所述对向电极和所述边界电极被配置为接收偏压脉冲，其中，在第一时间段期间RF脉冲被施加到所述等离子体源，随后在第二时间段期间偏压脉冲被施加到所述对向电极，其中，所述第一时间段和第二时间段以交替的方式发生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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