[发明专利]用于处理半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201080027556.X | 申请日： | 2010-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102460663A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 凯栋·徐 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 披露了用于处理半导体晶片的方法，该方法包括：提供堆叠，所述堆叠包括：包括第一氧化物材料的高k层，其中所述第一氧化物材料包含铪和/或锆，以及包括第二氧化物材料的覆盖层，其中所述覆盖层沉积在所述高k层的上部，其中所述第二氧化物材料包含镧、镧系元素和/或铝，执行步骤SA，其中将液体A供给到所述半导体晶片的表面，其中液体A为包含氧化剂的水溶液，执行步骤SB，其中将液体B供给到所述半导体晶片的表面，其中步骤SB在步骤SA之后实施，其中液体B为pH值小于6的液体，以及执行步骤SC，其中将液体C供给到所述半导体晶片的表面，其中步骤SC在步骤SB之后实施，其中液体C为具有至少10ppm的氟浓度的酸性水溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
用于处理半导体晶片的方法，该方法包括：提供堆叠，所述堆叠包括：包括第一氧化物材料的高k层，其中所述第一氧化物材料包含铪和/或锆，以及包括第二氧化物材料的覆盖层，其中所述覆盖层沉积在所述高k层的上部，其中所述第二氧化物材料包含镧、镧系元素和/或铝，执行步骤SA，其中将液体A供给到所述半导体晶片的表面，其中液体A为包含氧化剂的水溶液，执行步骤SB，其中将液体B供给到所述半导体晶片的表面，其中步骤SB在步骤SA之后实施，其中液体B为pH值小于6的液体，以及执行步骤SC，其中将液体C供给到所述半导体晶片的表面，其中步骤SC在步骤SB之后实施，其中液体C为具有至少10ppm的氟浓度的酸性水溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
