[发明专利]接合材料、半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201080027789.X | 申请日： | 2010-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102473650A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 冈本正英;池田靖;村里有纪 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;C22C18/04;C22C21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供接合材料、半导体装置及其制造方法，当采用现有的Zn/Al/Zn金属包层材料进行接合时，由于接合部的热阻至少与现有的高铅焊料相当，接合部的厚度必需为现有的焊料的2倍(约100μm)以下。另外，为了充分呈现Al层的应力缓冲能力，Al层的厚度必需尽量厚。为了得到充分的接合性，接合时必需用约2g/mm2以上的荷重进行加压，批量生产成本显著上升。本发明的半导体装置，其特征在于，包括：半导体元件；框架；和将上述半导体元件与上述框架接合的接合部；上述接合部含Zn-Al合金，在上述接合部与上述半导体元件的界面及上述接合部与上述框架的界面，Al氧化物膜的面积相对全部界面面积之比为0％以上5％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 材料 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
接合部件，其特征在于，在具有Al层、和在上述Al层的两主面上分别设置了第1及第2的Zn层的接合材料中，上述Al层的厚度相对上述第1或上述第2的Zn层的厚度之比为0.59以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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