[发明专利]真空加热/冷却装置及磁阻元件的制造方法有效
申请号: | 201080028305.3 | 申请日: | 2010-04-16 |
公开(公告)号: | CN102460650A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 恒川孝二;永峰佳纪;古川真司 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26;H01L43/12 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够在成膜处理之后在维持高真空度的状态下仅急速地加热和急速地冷却基板的真空加热/冷却装置。根据本发明的实施方式的真空加热/冷却装置包括真空室(1)、发出加热光的卤素灯(2)、用于允许加热光进入真空室(1)的石英窗(3)、具有冷却功能的基板支撑台(9)、以及使基板(5)停在加热位置(P3)和冷却位置(P1)并且使基板(5)在加热位置(P3)与冷却位置(P1)之间移动的升降销(13)。 | ||
搜索关键词: | 真空 加热 冷却 装置 磁阻 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种在真空中加热/冷却基板的真空加热/冷却装置,该装置包括:真空室;放射能量源,其被配置在所述真空室的大气侧并且放射加热光;入射部,其用于使来自所述放射能量源的加热光进入所述真空室;配置在所述真空室内部并且具有冷却机构的构件,该构件能由所述冷却机构冷却;以及基板移动机构,其具有用于保持所述基板的基板保持部,所述基板移动机构使所述基板保持部停在加热位置和与所述加热位置不同的冷却位置,并且还使所述基板保持部在所述加热位置和所述冷却位置之间移动,其中,所述加热位置是当所述基板被加热时所述基板应当位于的位置并且是靠近所述放射能量源的位置,所述冷却位置是当所述基板被冷却时所述基板应当位于的位置并且是靠近所述构件的位置或者是所述基板被载置于所述构件的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造