[发明专利]十二卤代新戊硅烷的制备方法有效
| 申请号： | 201080028464.3 | 申请日： | 2010-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102459078B | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | M·施特普 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;C01F7/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备通式(1)的新戊硅烷的方法，Si(SiR3)4 (1)；其中通式(2)的硅化合物在催化活性化合物(K)的存在下反应，所形成的四卤代硅烷在化合物(L)的存在下通过蒸馏被分离掉，所述化合物(L)在室温下是液体，并具有比释放出的四卤代硅烷更高的沸点，R3Si-(SiR2-)xSiR3 (2)；其中R选自Cl、Br和I，以及x表示至多为5的非负整数。 | ||
| 搜索关键词： | 十二 卤代新戊 硅烷 制备 方法 | ||
【主权项】：
制备通式（1）的新戊硅烷的方法，Si(SiR3)4 (1)其中通式（2）的硅化合物在催化活性化合物K的存在下反应，R3Si‑(SiR2‑)xSiR3 (2)其中R选自Cl、Br和I，以及x表示至多为5的非负整数，其中从一开始就蒸馏掉反应中形成的四卤代硅烷，在反应结束后将高沸化合物L加入到蒸馏釜底部，所述化合物L在室温下是液体，并具有比所释放的四卤代硅烷更高的沸点，残余的四卤代硅烷在化合物L的存在下通过蒸馏被分离掉，然后冷却蒸馏釜的底部，不含四卤代硅烷的通式（1）的产物沉淀下来。
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