[发明专利]用于半导体发光器件的接触有效
| 申请号： | 201080028617.4 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102804417A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | J.E.埃普勒;A.J.F.戴维德 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/42;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李亚非;刘鹏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例包括一种半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区（22）与p型区（26）之间的III族氮化物发光层（24）。布置在p型区上的接触包括与p型区（26）直接接触的透明导电材料（28）、反射金属层（34）以及布置在透明导电层（28）与反射金属层（34）之间的透明绝缘材料（30）。在透明绝缘材料（30）中的多个开口（32）中，透明导电材料（28）与反射金属层直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 发光 器件 接触 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体结构，其包括布置在n型区与p型区之间的III族氮化物发光层；接触，其布置在p型区上，该接触包括：与p型区直接接触的透明导电材料；反射金属层；布置在透明导电层与反射金属层之间的透明绝缘材料；以及透明绝缘材料中的多个开口，其中在所述多个开口中透明导电材料与反射金属层直接接触。
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