[发明专利]侧壁光电检测器无效
| 申请号： | 201080028741.0 | 申请日： | 2010-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102460735A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | M·T·莫尔斯;M·J·帕尼西亚;O·多森姆 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/105 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于集成光子器件的侧壁光电检测器及其制造方法。实施例包括在具有足够大面积以容纳多模光纤的光斑大小的衬底半导体特征的侧壁上形成的p-i-n膜层叠。实施例包括通过波导耦合到第二侧壁光电检测器的第一侧壁光电检测器，该第一侧壁光电检测器具有被调节成吸收入射至第一侧壁的光的第一波长且使光的第二波长穿过到第二侧壁光电检测器的i层，该第二侧壁光电检测器具有被调节成吸收第二波长的i层。 | ||
| 搜索关键词： | 侧壁 光电 检测器 | ||
【主权项】：
一种光子器件，包括：衬底半导体膜，其中形成基本垂直的沟槽侧壁；设置在所述沟槽侧壁上方的第一p‑i‑n膜层叠；以及耦合至所述p‑i‑n膜层叠的p型和n型层的一对电极，以在所述沟槽侧壁上形成第一光电检测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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