[发明专利]CMP研磨液、基板研磨方法和电子部件有效
| 申请号： | 201080028913.4 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102473621A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 筱田隆;榎本和宏;阿久津利明 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/04;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;刘强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的CMP研磨液为将第1液和第2液混合使用的CMP研磨液，第1液含有铈系研磨粒、分散剂和水，第2液含有聚丙烯酸化合物、表面活性剂、pH调整剂、磷酸化合物和水，第2液的pH为6.5以上，以磷酸化合物的含量达到规定范围的方式混合第1液和第2液。此外，本发明的CMP研磨液含有铈系研磨粒、分散剂、聚丙烯酸化合物、表面活性剂、pH调整剂、磷酸化合物和水，磷酸化合物的含量在规定范围。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 研磨 方法 电子 部件 | ||
【主权项】：
一种CMP研磨液，其为将第1液和第2液混合使用的CMP研磨液，所述第1液含有铈系研磨粒、分散剂和水，所述第2液含有聚丙烯酸化合物、表面活性剂、pH调整剂、磷酸或磷酸衍生物中的至少一方的磷酸化合物和水，所述第2液的pH为6.5以上，以所述磷酸化合物的含量在以CMP研磨液总质量为基准时达到0.01～1.0质量％的方式混合所述第1液和所述第2液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
