[发明专利]静电离子陷阱有效
| 申请号： | 201080029456.0 | 申请日： | 2010-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN102648511A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 葛拉多·A·布鲁克尔;肯尼斯·D·凡安特卫普;G·杰佛瑞·拉司邦;史考特·C·海恩布希;麦可·N·肖特 | 申请（专利权）人： | 布鲁克机械公司 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42;H01J49/26;G01N27/62 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种离子陷阱包含电极结构，其包含第一和第二相反镜面电极和其间的中心透镜，所述电极结构产生使得离子在自然振荡频率下被限制于若干轨迹的静电电位，所述限制电位为非谐的。所述离子陷阱还包含具有激励频率f的AC激励源，其在所述离子的所述自然振荡频率的约两倍的频率下激励被限制的离子，所述AC激励频率源优选地连接到所述中心透镜。在一个实施例中，所述离子陷阱包含扫描控件，其质量选择性地减小所述AC激励频率与所述离子的所述自然振荡频率的约两倍之间的频率差。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 离子 陷阱 | ||
【主权项】：
一种离子陷阱，其包括：电极结构，其包含第一和第二相反镜面电极和其间的中心透镜，所述电极结构产生使得离子在自然振荡频率下被限制于若干轨迹的静电电位，所述限制电位为非谐的；以及具有激励频率f的AC激励源，其在所述离子的所述自然振荡频率的约两倍的频率下激励被限制的离子，所述AC激励源连接到所述中心透镜。
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