[发明专利]金属掺杂的半导体纳米晶体及其制造方法无效
| 申请号： | 201080029521.X | 申请日： | 2010-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102471676A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 彭笑刚;解仁国 | 申请（专利权）人： | 阿肯色大学托管委员会 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/70;C09K11/88 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;吴胜周 |
| 地址： | 美国阿*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了掺杂半导体纳米晶体及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 掺杂 半导体 纳米 晶体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂半导体纳米晶体，包括：III/V族基质半导体材料；以及金属掺杂剂，其中，所述半导体纳米晶体具有大于约620nm的掺杂剂发射。
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