[发明专利]塌陷模式电容性传感器有效
| 申请号： | 201080029537.0 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102470396A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 海尔特·伦格瑞斯;特温·范利庞;雷奥特·沃尔特杰尔 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | B06B1/02 | 分类号： | B06B1/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种电容性传感器，配置用于塌陷模式，例如用于测量声音或压力，其中可移动元件被分割成较小部分。该电容性传感器提供了增大的信噪比。 | ||
| 搜索关键词： | 塌陷 模式 电容 传感器 | ||
【主权项】：
一种电容性传感器，用于测量物理参数，该电容性传感器包括：可移动膜，形成上电极；以及底层，形成底电极；其中该传感器配置为按照塌陷模式驱动，其中使可移动膜与底层接触，可移动膜与底层之间的接触区域的大小被配置为取决于待测量的物理参数，传感器的输出信号取决于接触区域的大小，其中，将可移动膜分割成多个较小的区段，每个区段被配置为与底层接触，每个较小区段的接触区域的大小取决于待测量的物理参数，传感器的输出信号取决于可移动膜的区段与底层之间的接触区域的大小的总量。
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