[发明专利]热载流子能量转换结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201080029571.8 | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102549775A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 约翰·加文·克尼比尔;桑托斯·什里斯特哈;德克·康尼格;马丁·安德鲁·格林;长岛知理;竹田康彦;伊藤忠;元广友美 | 申请（专利权）人： | 新南创新有限公司;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 澳大利亚新*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 本发明提供了制造热载流子能量转换结构的方法以及热载流子能量转换结构。该方法包括形成包括隧穿层的能量选择性接触部ESC；在ESC上形成载流子生成层；以及在载流子生成层上形成不具有隧穿层的半导体接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 能量 转换 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造热载流子能量转换结构的方法，所述方法包括：形成包括隧穿层的能量选择性接触部(ESC)；在所述ESC上形成载流子生成层；以及在所述载流子生成层上形成不具有隧穿层的半导体接触部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
