[发明专利]带有具有倒圆拐角的多个支柱的交叉点非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080029635.4 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102484119A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | X·陈;H·徐;C·潘 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;H01L27/10;G11C17/16;G11C13/02;H01L27/102 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 非易失性存储器件包括多个支柱(1)，其中多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，非易失性存储单元包括转向元件(110)和存储元件(118)，并且多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。制造非易失性存储器件的方法包括形成器件层的叠层以及图案化叠层从而形成多个支柱，其中多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，该非易失性存储单元包括转向元件和存储元件，并且其中多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 具有 拐角 支柱 交叉点 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括多个支柱，其中：所述多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，该非易失性存储单元包括转向元件和存储元件；以及所述多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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