[发明专利]太阳能电池的制造方法和制造装置无效
| 申请号： | 201080029751.6 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN102473749A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 松本光弘;村田和哉 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;C23C16/24;C23C16/509;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当制造依次叠层p型层、i型层、n型层而构成的太阳能电池时，在使含n型掺杂剂的气体的流量与含硅的气体的流量之比为0.03以下、稀释气体的流量与含硅的气体的流量之比为70以上、原料气体的总压力为200Pa以上的成膜条件下，形成n型微晶硅薄膜作为n型层。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制造方法，其在基板上依次将添加有p型掺杂剂的p型薄膜、i型非晶硅薄膜和添加有n型掺杂剂的n型微晶硅薄膜叠层而制造太阳能电池，该太阳能电池的制造方法的特征在于：当形成所述n型微晶硅薄膜时，使含n型掺杂剂的气体的流量与含硅的气体的流量之比为0.03以下，稀释气体的流量与含硅的气体的流量之比为70以上，原料气体的总压力为200Pa以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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