[发明专利]高速二分频电路有效
申请号: | 201080029937.1 | 申请日: | 2010-07-02 |
公开(公告)号: | CN102474241A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 恩加·龙·艾伦·詹;王沈 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03K3/356 | 分类号: | H03K3/356 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种高频分频器(124)包括复数个差分锁存器(142、143)。每一锁存器包含一对交叉耦合的P沟道晶体管(158、159和161、162)和可变电阻元件(163、164)。通过设置供应到所述可变电阻元件的多位数字控制值(CONTROLA)而控制所述锁存器在高操作频率下具有较低输出电阻。控制所述锁存器在高频率下具有减小的输出电阻允许在宽操作频率范围内维持所述锁存器的3dB带宽。所述可变电阻元件安置在所述锁存器的两个差分输出节点(146、147或152、153)之间以使得明显的DC偏压电流不流动跨越所述可变电阻元件。因而,与常规差分锁存器分频器中的输出信号摆动降级和电流消耗增加相比,良好输出信号电压摆动得以维持在高频率下,且分频器电流消耗在高频率下并不明显地增加。 | ||
搜索关键词: | 高速 分频 电路 | ||
【主权项】:
一种分频器,其包括:第一差分锁存器,其包括:第一输出节点;第二输出节点;第一N沟道晶体管,其具有源极、漏极和栅极,其中所述第一N沟道晶体管的所述漏极耦合到所述第一输出节点;第二N沟道晶体管,其具有源极、漏极和栅极,其中所述第二N沟道晶体管的所述源极耦合到所述第一N沟道晶体管的所述源极,其中所述第二N沟道晶体管的所述漏极耦合到所述第二输出节点;第一P沟道晶体管,其具有源极、漏极和栅极,其中所述第一P沟道晶体管的所述漏极耦合到所述第一输出节点,其中所述第一P沟道晶体管的所述栅极耦合到所述第二输出节点;以及第二P沟道晶体管,其具有源极、漏极和栅极,其中所述第二P沟道晶体管的所述漏极耦合到所述第二输出节点,且其中所述第二P沟道晶体管的所述源极耦合到所述第一P沟道晶体管的所述源极,且其中所述第二P沟道晶体管的所述栅极耦合到所述第一输出节点;以及第一可变电阻元件,其耦合在所述第一输出节点与所述第二输出节点之间。
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