[发明专利]用于与LED结合使用的重发光半导体载流子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201080030361.0 | 申请日： | 2010-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102804422A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 特里·L·史密斯;凯瑟琳·A·莱瑟达勒;迈克尔·A·哈斯;托马斯·J·米勒;孙晓光;杨朝晖;托德·A·巴伦;埃米·S·巴尔内斯 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 梁晓广;关兆辉 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了与LED结合使用的重发射半导体构造(RSC)以及有关器件、系统和方法。制造方法包括提供半导体基底、在所述基底的第一侧面上形成半导体层叠件、将载体窗口附接到所述层叠件、以及在所述附接步骤之后移除所述基底。层叠件包括有源区，所述有源区适于将第一波长λ1的光转换成第二波长λ2的可见光，所述有源区包括至少第一势阱。实施所述附接步骤，使得所述层叠件设置在所述基底和所述载体窗口之间，所述载体窗口透射所述第二波长λ2。所述载体窗口也可具有大于所述层叠件的横向尺寸。实施所述移除步骤，以便得到RSC载体器件，所述RSC载体器件包括所述载体窗口和所述层叠件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 led 结合 使用 发光 半导体 载流子 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制备重发射半导体构造(RSC)的方法，所述重发射半导体构造与发射第一波长λ1的光的电致发光器件结合使用，所述方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有半导体层叠件，所述半导体层叠件具有有源区，所述有源区适于将所述第一波长λ1的光转换成第二波长λ2的可见光，所述有源区包括至少第一势阱；将载体窗口附接到所述半导体层叠件，使得所述半导体层叠件设置在所述基底和所述载体窗口之间，所述载体窗口透射至少所述第二波长λ2；以及在所述附接步骤之后，移除所述基底，从而得到RSC载体器件，所述RSC载体器件包括所述载体窗口和所述半导体层叠件。
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