[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201080030507.1 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102473651A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 藤泽敦;藤井浩志 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;孟祥海 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法焊锡角焊缝，该制造方法是使用了具有将多个引线的外端部合并在一起的堤坝的多级引线框的QFN型封装的半导体器件的制造方法，通过激光去除填充于模腔外周与堤坝之间的密封树脂时，对外引线的侧面(4s)倾斜地照射激光(61)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包含以下工序：(a)将固定有半导体芯片的引线框设置在成型模具中，通过密封树脂密封上述半导体芯片，来在上述引线框上形成树脂密封体，在此，上述引线框包括以下部分：(i)冲模垫，其固定有上述半导体芯片；(ii)从上述冲模垫的外部周边以与上述树脂密封体的底面形成大致同一平面的方式延伸并到达上述树脂密封体的侧面的多个内引线、以及与上述多个内引线分别连结并从上述树脂密封体的上述侧面突出的多个外引线；(iii)堤坝，其将上述多个外引线的外端部附近连结起来；以及(iv)引线间树脂突出部，其填充于上述多个外引线之间，从上述树脂密封体的上述侧面突出，上述半导体器件的制造方法还包括以下工序：(b)在上述工序(a)之后，通过向上述引线间树脂突出部照射激光，来去除上述引线间树脂突出部，在此，上述工序(b)包括以下工序：(b1)对上述多个外引线的侧面倾斜地照射上述激光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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