[发明专利]高纯度钼粉末及其制造方法有效
申请号: | 201080030705.8 | 申请日: | 2010-07-09 |
公开(公告)号: | CN102470437A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 山口悟 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
主分类号: | B22F1/00 | 分类号: | B22F1/00;B22F9/22 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张楠;陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在将氧化钼粉末还原而获得高纯度钼粉末时,将氧化钼粉末加入到用钼覆盖了内壁的容器中,在950~1100℃的温度下进行还原。此外,在途中的干燥工序中得到1次粒子多的氧化钼粉末。由此,能得到1次粒子的比例为50%以上的高纯度钼粉末。此外,通过改进干燥工序,可得到平均粒径为0.5~100μm且1次粒子的比例为50%以上的高纯度钼粉末。 | ||
搜索关键词: | 纯度 粉末 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种高纯度钼粉末,其特征在于,平均粒径为0.5~100μm,1次粒子的比例为50%以上,且纯度为99.99%以上。
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