[发明专利]R-T-B类烧结磁体的制造方法和R-T-B类烧结磁体有效
| 申请号： | 201080030743.3 | 申请日： | 2010-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102473515A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 国吉太 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F3/24;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/053;H01F1/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明在于提供一种R-T-B类烧结磁体的制造方法，其包括：准备R-T-B类烧结磁石体(1)的工序；准备含有重稀土元素RH(Dy和Tb中的至少1种)的金属或合金的RH扩散源(2)的工序；向处理室(3)内装入烧结磁石体(1)和RH扩散源(2)，使其能够相对移动并且能够接近或接触的工序；和RH扩散工序，使R-T-B类烧结磁石体(1)和RH扩散源(2)边在处理室(3)内连续地或断续地移动，边进行10分钟以上500℃以上、850℃以下的热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种R‑T‑B类烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：准备R‑T‑B类烧结磁石体的工序；准备含有重稀土元素RH的金属或合金的RH扩散源的工序，其中，所述重稀土元素RH为Dy和Tb中的至少1种；向处理室内装入所述R‑T‑B类烧结磁石体和所述RH扩散源，使其能够相对移动并且能够接近或接触的工序；和RH扩散工序，使所述R‑T‑B类烧结磁石体和所述RH扩散源边在所述处理室内连续地或断续地移动，边进行10分钟以上的500℃以上、850℃以下的热处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社，未经日立金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080030743.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
