[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201080031046.X | 申请日： | 2010-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102473647A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 柴田大辅;柳原学;上本康裕 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/28;H01L21/337;H01L29/417;H01L29/778;H01L29/808;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法。氮化物半导体装置具有包括在基板(101)上依次形成的第一氮化物半导体层(104)及第二氮化物半导体层(105)的半导体层层叠体(103)。在半导体层层叠体(103)上选择性形成p型的第三氮化物半导体层(108)，在第三氮化物半导体层(108)上形成有栅电极(109)。在半导体层层叠体(103)上的第三氮化物半导体层(108)的两侧分别形成有第一欧姆电极(106)及第二欧姆电极(107)。第一栅电极(109)与第三氮化物半导体(108)进行肖特基接触。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体装置，具备：基板；半导体层层叠体，其包括在所述基板上依次形成的第一氮化物半导体层以及带隙比该第一半导体层大的第二氮化物半导体层；p型的第三氮化物半导体层，其选择性形成在所述半导体层层叠体上；第一栅电极，其形成在所述第三氮化物半导体层上；和第一欧姆电极及第二欧姆电极，分别形成在所述半导体层层叠体上的所述第三氮化物半导体层的两侧，所述第一栅电极与所述第三氮化物半导体进行肖特基接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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