[发明专利]用于改良在非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上生长的(Ga，Al，In，B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构无效
| 申请号： | 201080031095.3 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102473799A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·M·法雷尔;马修·T·哈迪;太田裕朗;斯蒂芬·P·登巴尔斯;詹姆斯·S·斯佩克;中村修二 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于改良在非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上生长的(Ga，Al，In，B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构。所述结构包含非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N激光二极管，所述激光二极管包括波导核心，其在不存在p型掺杂的含铝波导覆盖层的情况下为所述装置的操作提供足够光限制；以及一个或多个n型掺杂的含铝层，其可用于帮助沿特定晶面的刻面劈裂。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改良 极性 ga al in 衬底 生长 激光二极管 镜面刻面 劈裂 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体光电子装置，其包含：非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N激光二极管，其包括：(i)波导核心，其在不存在p型掺杂的含铝波导覆盖层的情况下为所述装置的操作提供足够光限制，和(ii)一个或多个n型掺杂的含铝层，其在所述波导核心上或下方。
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