[发明专利]反熔丝元件有效
申请号: | 201080031303.X | 申请日: | 2010-07-22 |
公开(公告)号: | CN102473676A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 谷晋辅;中矶俊幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;王轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基于动作电压的施加而发生短路时,不会产生开路不良的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)具有:绝缘层(22);形成于绝缘层(22)的上下面的一对电极层(21)、(23);和以与电极层(23)的同绝缘层(22)形成静电电容的部分接触的方式形成的引出电极(42)。并且,被构成为产生构造变化部(29),该构造变化部(29)具有:在施加了绝缘层(22)的绝缘破坏电压以上的电压时,一对电极层(21)、(23)相互熔融以将绝缘层(22)卷入的形态而短路的短路部(27);和通过绝缘层(22)被卷入而使一对电极层(21)、(23)和绝缘层(22)消失的消失部(28)。并且,引出电极(42)的与电极层(23)接触的部分的最大直径大于构造变化部(29)的最大直径。 | ||
搜索关键词: | 反熔丝 元件 | ||
【主权项】:
一种反熔丝元件,具备:绝缘层;形成于上述绝缘层的上下表面的一对电极层;和以与上述电极层的同上述绝缘层形成静电电容的部分接触的方式形成的引出电极,该反熔丝元件被构成为产生构造变化部分,该构造变化部分具有:在施加上述绝缘层的绝缘破坏电压以上的电压时,上述一对电极层相互熔融以将上述绝缘层卷入的形态而短路的短路部;和通过上述绝缘层被卷入而使上述电极层和上述绝缘层消失的消失部,上述引出电极的与上述电极层接触的部分的最大直径大于上述构造变化部分的最大直径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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