[发明专利]互连封装结构及制造和使用该互连封装结构的方法有效
| 申请号： | 201080031320.3 | 申请日： | 2010-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102473591A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 尼泰史·卡玛怀特;艾博黑沙克·查德胡瑞;温科·桑德锐曼;罗·R·特玛拉 | 申请（专利权）人： | 佐治亚科技研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红;常春 |
| 地址： | 乔治*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的各种实施方式提供了细节距，芯片至基底互连封装结构，以及制造和实用该封装结构的方法。该封装结构通常包括一具有设置于其上的晶粒焊盘和凸块的半导体，及具有设置于其上的基底焊盘的基底。该凸块被配置为在凸块与基底焊盘接触时使半导体的至少一部分与基底的至少一部分电性互连。另外，在凸块与基底焊盘接触时，凸块的至少一部分和基底焊盘的至少一部分发生变形以在二者之间形成一非冶金结合。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 封装 结构 制造 使用 方法 | ||
【主权项】：
一种互连封装结构，包括：一半导体；一晶粒焊盘，该晶粒焊盘设置于该半导体的一表面的至少一部分上，其中，该晶粒焊盘由一导电材料制成；一凸块，该凸块设置于该晶粒焊盘的至少一部分上，其中，该凸块由一导电材料制成；一基底；以及，一基底焊盘，该基底焊盘设置于该基底的一表面的至少一部分上，其中，该基底焊盘由导电材料制成；其中，该凸块配置为在该凸块与该基底焊盘接触时使该半导体的至少一部分与该基底的至少一部分电性互连；其中，在该凸块与该基底焊盘接触时，凸块的至少一部分和基底焊盘的至少一部分发生实质变形以在二者之间形成一非冶金结合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佐治亚科技研究公司，未经佐治亚科技研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080031320.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
