[发明专利]基板的面粗化方法、光电动势装置的制造方法、光电动势装置有效
申请号: | 201080031337.9 | 申请日: | 2010-03-30 |
公开(公告)号: | CN102473751A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 佐藤刚彦;西村邦彦;新延大介;桧座秀一;松野繁 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;C03C15/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 许海兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 包括:第一工序,在透光性基板的表面形成保护膜;第二工序,使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于保护膜而使透光性基板的表面露出;第三工序,将形成有开口的保护膜作为掩膜,对于透光性基板中的形成有保护膜的面,在保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻,在透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状;以及第四工序,去除保护膜,其中,在第四工序中,在形成抛物线状的凹凸形状之后继续进行各向同性蚀刻,从透光性基板剥离保护膜,并且对抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。 | ||
搜索关键词: | 面粗化 方法 电动势 装置 制造 | ||
【主权项】:
一种基板的面粗化方法,其特征在于,包括:第一工序,在透光性基板的表面形成保护膜;第二工序,使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于所述保护膜,从而使所述透光性基板的表面露出;第三工序,将形成有所述开口的所述保护膜作为掩膜,对于所述透光性基板中的形成有所述保护膜的面,在所述保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻,在所述透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状;以及第四工序,去除所述保护膜,其中,在所述第四工序中,在形成所述抛物线状的凹凸形状之后继续进行所述各向同性蚀刻,从所述透光性基板剥离所述保护膜,并且对所述抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080031337.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能电池及其制造方法
- 下一篇:液晶显示元件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的