[发明专利]基板的面粗化方法、光电动势装置的制造方法、光电动势装置有效

专利信息
申请号: 201080031337.9 申请日: 2010-03-30
公开(公告)号: CN102473751A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 佐藤刚彦;西村邦彦;新延大介;桧座秀一;松野繁 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;C03C15/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 许海兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 包括:第一工序,在透光性基板的表面形成保护膜;第二工序,使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于保护膜而使透光性基板的表面露出;第三工序,将形成有开口的保护膜作为掩膜,对于透光性基板中的形成有保护膜的面,在保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻,在透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状;以及第四工序,去除保护膜,其中,在第四工序中,在形成抛物线状的凹凸形状之后继续进行各向同性蚀刻,从透光性基板剥离保护膜,并且对抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。
搜索关键词: 面粗化 方法 电动势 装置 制造
【主权项】:
一种基板的面粗化方法,其特征在于,包括:第一工序,在透光性基板的表面形成保护膜;第二工序,使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于所述保护膜,从而使所述透光性基板的表面露出;第三工序,将形成有所述开口的所述保护膜作为掩膜,对于所述透光性基板中的形成有所述保护膜的面,在所述保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻,在所述透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状;以及第四工序,去除所述保护膜,其中,在所述第四工序中,在形成所述抛物线状的凹凸形状之后继续进行所述各向同性蚀刻,从所述透光性基板剥离所述保护膜,并且对所述抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。
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