[发明专利]采用半导电材料的处理膜而无需纳米精度的塞贝克/珀耳帖热电转换器件有效
| 申请号： | 201080031509.2 | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102549787A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | D·达杜西;G·塞罗弗里尼 | 申请（专利权）人： | 德尔塔蒂研究财团 |
| 主分类号： | H01L35/22 | 分类号： | H01L35/22;H01L35/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 袁玥 |
| 地址： | 意大*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本公开涉及塞贝克/珀耳帖效应热电转换器件，且尤其涉及由与甚至大尺寸的经处理的半导体层交替的电介质层的叠层制成而无需纳米-微米尺度的平版印刷构图的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 导电 材料 处理 无需 纳米 精度 贝克 珀耳帖 热电 转换 器件 | ||
【主权项】：
一种塞贝克/珀耳帖效应热电转换器件，至少包含：低热导率电介质材料的平坦支撑；沉积在所述支撑的主表面中的至少一个之上的掺杂多晶半导电材料层，其具有超过至少1.0Ω‑1cm‑1的体电导率，以适于减小半导体中的声子散射而不明显抑制其电导率的不同动能和通量原位注入以离子；所述经注入的半导体层的相对侧到外部电路的金属化的电连接；与所述金属化的相对侧重合的表面是在转换器件的不同温度下的表面。
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