[发明专利]氨基官能树脂用于歧化卤代硅烷以及用于去除外来金属的方法及应用在审

专利信息
申请号: 201080031538.9 申请日: 2010-05-18
公开(公告)号: CN102471075A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: E.米;H.劳勒德;J.蒙基维茨;R.肖尔克 申请(专利权)人: 赢创德固赛有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 温宏艳;林森
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及歧化至少一种卤代硅烷,并减少该至少一种卤代硅烷中和所获至少一种硅烷中外来金属和/或含外来金属的化合物的含量的方法,包括在一个步骤中令至少一种式(I),HnSiClm,的卤代硅烷,其中n和m是整数,且n=1,2或3并且m=1,2或3以及n+m=4,与一种粒状、有机、氨基官能树脂进行接触,获得至少一种通式(II),HaSiClb,的硅烷,其中a和b是整数且a=0,2,3或4并且b=0,1,2或4,其中a+b=4,而且该硅烷中外来金属和/或含外来金属的化合物的含量比式(I)的卤代硅烷减少了。本发明的主题还是此种树脂在制备甲硅烷的方法中用于歧化卤代硅烷并作为外来金属或含外来金属的化合物的吸附剂的应用。
搜索关键词: 氨基 官能 树脂 用于 歧化卤代 硅烷 以及 去除 外来 金属 方法 应用
【主权项】:
一种歧化至少一种卤代硅烷,并减少至少一种卤代硅烷和所获至少一种硅烷中的外来金属和/或含外来金属的化合物的含量的方法,包括:‑ 令至少一种通式I的卤代硅烷HnSiClm            (I)其中n和m为整数并且n = 1, 2 或 3 ,和m = 1, 2 或 3, 并且n + m = 4,‑ 与粒状、有机、氨基官能树脂进行接触,获得至少2种通式II的硅烷,HaSiClb        (II)其中a 和b为整数并且a = 0, 2, 3 或 4 并且b = 0, 1, 2 或 4 ,其中a + b = 4,而且式 I不同于式II,其中外来金属和/或含外来金属的化合物的含量比式I的卤代硅烷减少了。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赢创德固赛有限公司,未经赢创德固赛有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080031538.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top