[发明专利]高性能功率开关无效
| 申请号： | 201080031624.X | 申请日： | 2010-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102473720A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 石俊夏;莱斯特·F·伊士曼 | 申请（专利权）人： | 康奈尔大学 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 杨颖;张一军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个例子中，描述了一种新的高性能AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体异质结构构场效应晶体管(MISHFET)，其使用HfO2作为表面钝化和栅极绝缘体来制作。在击穿之前，栅极和漏极漏电流被急剧减小到几十nA。在无场极板的情况下，对于10μm的栅极-漏极间隔，关断状态击穿电压是1035V，具有0.9mΩ-cm2的单位导通电阻。另外，从脉冲测量结果没有观察到电流陡降。这是对蓝宝石上的基于GaN的快速功率开关器件的至今为止所报告的最佳的性能，它有效地将优越器件的正向特性、反向特性和开关特性结合起来。这里还提及了其它的变体、特征和例子。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 功率 开关 | ||
【主权项】：
一种晶体管器件，所述晶体管器件包括：第一半导体层；第二半导体层；以及由HfO2或者任何铪和氧化物复合物的变体构成的钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于康奈尔大学，未经康奈尔大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080031624.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用来控制电感负载的方法和装置
- 下一篇：显示设备和驱动该显示设备的方法
- 同类专利
- 专利分类
