[发明专利]氧化铟烧结体、氧化铟透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法有效
| 申请号： | 201080032234.4 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102471160A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 高见英生;生泽正克 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氧化铟烧结体，其含有锆作为添加物，其特征在于，锆的原子浓度相对于铟的原子浓度与锆的原子浓度之和的比率为0.5～4％的范围，相对密度为99.3％以上，体电阻为0.5mΩ·cm以下。本发明的目的在于提供在可见光区域及红外区域具有高透射率、并且膜的电阻率低、结晶温度可以控制的氧化铟透明导电膜及其制造方法以及用于制作该透明导电膜的氧化铟烧结体。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 烧结 透明 导电 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化铟烧结体，其含有锆作为添加物，其特征在于，锆的原子浓度相对于铟的原子浓度与锆的原子浓度之和的比率为0.5～4％的范围，相对密度为99.3％以上，体电阻为0.5mΩ·cm以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉坤日矿日石金属株式会社，未经吉坤日矿日石金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080032234.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
