[发明专利]发光二极管

摘要

本发明的发光二极管元件具备：n型导电层(2)，其具有主面以及背面，并由氮化镓类化合物构成，主面是m面；半导体层叠构造(21)，其设置在n型导电层(2)的主面的第1区域(2a)，且包括p型导电层(4)、以及位于n型导电层(2)和p型导电层(4)之间的活性层(3)；p型电极(5)，其设置在p型导电层(4)上；导电体部(9)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与通孔(8)的内壁相接；以及n型表面电极(6)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与导电体部(9)相接。

主权项

一种发光二极管元件，具备：第1导电型的第1半导体层，其具有主面以及背面，并由氮化镓类化合物构成，上述主面是m面；半导体层叠构造，其设置在上述第1半导体层的上述主面的第1区域，且包括第2导电型的第2半导体层、以及位于上述第1半导体层和上述第2半导体层之间的活性层；第1电极，其设置在上述第2半导体层上；导电体部，其设置在上述第1半导体层的上述主面的第2区域，并与贯通上述第1半导体层的通孔的内壁相接；以及第2电极，其设置在上述第1半导体层的上述主面的上述第2区域，并与上述导电体部相接。