[发明专利]静磁场辅助的阻性感测元件无效
| 申请号： | 201080032401.5 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102473449A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | Z·袁凯;L·晓华;X·海文;M·唐 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于向诸如自旋扭矩转移随机存取存储器(STRAM)之类的非易失性存储单元(140，154)写入数据的装置和关联方法。根据一些实施例，阻性感测元件(RSE)(140)具有热辅助区(150)、磁隧穿结(MTJ)(142)以及钉扎区(152)。当用自旋极化电流向MTJ写入第一逻辑状态时，钉扎和热辅助区各自具有基本上为零的净磁矩。当用静磁场向MTJ写入第二逻辑状态时，钉扎区具有基本上为零的净磁矩，而热辅助区具有非零净磁矩。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 辅助 性感 元件 | ||
【主权项】：
一种装置，包括具有热辅助区、磁隧穿结(MTJ)和钉扎区的阻性感测元件(RSE)，其中当用自旋极化电流向所述MTJ写入第一逻辑状态时，所述钉扎区和所述热辅助区各自具有基本上为零的净磁矩，并且当用静磁场向所述MTJ写入第二逻辑状态时，所述钉扎区具有基本上为零的净磁矩，而所述热辅助区具有非零净磁矩。
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