[发明专利]具有穿通访问的垂直非易失性开关及其制造方法有效
| 申请号： | 201080032403.4 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102844865A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | M·霍利;H-K·李;P·马诺斯;C·郑;Y·P·金 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C11/404;H01L29/786;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种用于访问非易失性存储器单元的半导体器件。在一些实施例中，半导体器件具有包括源极、漏极和阱的半导体层的垂直叠层。向半导体器件施加漏极-源极偏置电压产生跨阱的穿通机制以在源极和漏极之间发起电流流动。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 访问 垂直 非易失性 开关 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包含半导体层的垂直叠层的半导体器件，所述垂直叠层包括源极、漏极和阱，其中漏极‑源极偏置电压的施加产生横跨所述阱的穿通机制以在所述源极和所述漏极之间引发电流流动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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