[发明专利]硅的表面处理有效
| 申请号： | 201080032674.X | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102473648A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | A·莱蒂泽;A·M·克罗尔;E·朗;S·A·卡斯塔尔迪 | 申请（专利权）人： | 麦克德米德尖端有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在其上具有抗反射层的硅半导体基板上形成抗蚀图案的方法。此方法包括步骤a)用化学处理组合物改变抗反射表面的表面能，b)将UV抗蚀剂施加在经处理的抗反射表面上，以及c)使抗反射表面曝露于湿式化学蚀刻剂组合物，以去除抗反射表面的外露区域，之后，可将基板金属化以提供半导体图案。此方法可用来制造硅太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 | ||
【主权项】：
一种在硅半导体基板上形成抗蚀图案的方法，所述硅半导体基板上具有抗反射层，该方法包括步骤：a)使抗反射层与包含含氟表面活性剂的组合物接触，以改变该抗反射层的表面能；b)在该经处理的抗反射层上施加抗蚀剂，从而产生抗反射层的外露区域和抗反射层的抗蚀剂覆盖区域；c)使抗反射层的外露区域与化学蚀刻剂组合物接触，以去除外露区域的抗反射层；d)在外露区域上施加金属涂层；以及e)除去抗蚀剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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