[发明专利]半导体材料光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离有效
| 申请号： | 201080033122.0 | 申请日： | 2010-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102483378A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 托斯顿.特鲁普克 | 申请（专利权）人： | BT成像股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;H01L35/18;G01N21/66;G01N21/95;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 刘守宪 |
| 地址： | 澳大利亚新南威尔士萨里*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 分离由掺杂浓度和少数载流子寿命分别对半导体材料产生的光致发光(PL)的影响的方法。在一个实施方式中本底掺杂浓度以其他技术被测量，使得PL测量结果根据有效少数载流子寿命被分析。在另一个实施方式中有效寿命以其他技术被测量，使得PL测量结果根据本底掺杂浓度被分析。在又一个实施方式中，通过计算两次PL测量结果的强度比本底掺杂浓度的影响被消除，所述PL测量结果是在不同的光谱范围下被获得，或者在不同的激发波长下被产生。本方法特别适用与诸如硅块或硅锭的体样品，其中相比于薄的、表面受限的样品如硅晶片，信息可以在很大的体寿命值范围内被获得。本方法还可应用于太阳电池的生产中以改善硅块和硅锭的制造，以及为晶片提供切割导引。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 光致发光 测量 掺杂 浓度 少数 载流子 寿命 分离 | ||
【主权项】：
一种分析半导体材料的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：(a)激发所述材料从而产生光致发光；(b)测量由所述材料辐射出的光致发光强度；(c)对测得的光致发光强度进行关于所述材料本底掺杂浓度变化的归一化，从而获得归一化的光致发光强度；以及(d)根据所述材料的一项或多项特性分析所述归一化的光致发光强度。
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