[发明专利]用于高分辨率焦平面兆兆赫兹成像阵列的微型相校正天线无效
| 申请号： | 201080033321.1 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102460707A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | H.L.莫斯巴克;G.芒库;K.瑟特尔;P.史密斯 | 申请（专利权）人： | 俄亥俄州立大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 周少杰 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种反向二极管阵列，反向二极管的阴极层与非均匀掺杂剖面的第一侧相邻，并且其锑化物基隧道势垒层与间隔层的第二侧相邻，使单片集成的天线结合到每个反向二极管。锑化物基隧道势垒可以利用例如非均匀的δ掺杂剖面来掺杂。成像/检测装置包括反向二极管阵列的2D焦平面阵列，其中每个反向二极管单片地结合到天线，阵列位于延伸的半球形透镜的背面，并且其中倾斜某些阵列用于校正光学像差。天线可以是蝶形天线、平面对数周期天线、具有微带馈入的双隙缝天线、螺形天线、螺旋状天线、环形天线、电介质棒天线、或者具有共面波导馈入天线的双隙缝天线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高分辨率 平面 兆赫 成像 阵列 微型 校正 天线 | ||
【主权项】：
一种反向二极管阵列，反向二极管的阴极层与非均匀掺杂剖面的第一侧相邻，并且其锑化物基隧道势垒层与间隔层的第二侧相邻，使单片集成的天线结合到每个所述反向二极管。
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