[发明专利]用于异质结构太阳能电池的基于硅晶片的结构有效
| 申请号： | 201080033652.5 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102473789A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | S·古哈;H·霍维尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/0352;H01L31/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种多结光伏器件，其包括硅衬底和形成在所述硅衬底上的介电层。锗层形成在所述介电层上。所述锗包括基本上类似于所述硅衬底的晶体结构的晶体结构。第一光伏子电池包括形成在所述锗层上的第一复数个掺杂半导体层。至少第二光伏子电池包括形成在所述介电层上的所述锗层上的所述第一光伏子电池上的第二复数个掺杂半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 结构 太阳能电池 基于 晶片 | ||
【主权项】：
一种多结光伏器件，包含：硅衬底；介电层，形成在所述硅衬底上；锗层，形成在所述介电层上，其中所述锗包含基本上类似于所述硅衬底的晶体结构的晶体结构；第一光伏子电池，包含第一复数个掺杂半导体层，形成在所述介电层上的所述锗层上；以及至少第二光伏子电池，包含第二复数个掺杂半导体层，形成在所述介电层上的所述锗层上的所述第一光伏子电池上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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