[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201080033956.1 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102473734A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;秋元健吾;津吹将志;佐佐木俊成;桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在使用第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的叠层的底栅结构的薄膜晶体管中，在与栅电极层重叠的一部分氧化物半导体层上形成与其接触的用作沟道保护层的氧化物绝缘层，并且在形成该绝缘层的相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的叠层的周缘部(包括侧表面)的氧化物绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极层，设置在绝缘表面上；栅极绝缘层，设置在所述栅电极层上；第一氧化物半导体层，设置在所述栅极绝缘层上；第二氧化物半导体层，设置在所述第一氧化物半导体层上且与所述第一氧化物半导体层接触；氧化物绝缘层，与所述第一氧化物半导体层的第一区及所述第二氧化物半导体层的第一区重叠且与所述第二氧化物半导体层接触；以及源电极层及漏电极层，设置在所述氧化物绝缘层及所述第一氧化物半导体层的第二区上，与所述第二氧化物半导体层的第二区重叠，且与所述第二氧化物半导体层接触，其中，所述第一氧化物半导体层的所述第一区及所述第二氧化物半导体层的所述第一区设置在与所述栅电极层重叠的区域中及所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层的周缘及侧表面中。
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