[发明专利]光电转换装置的制造方法无效
| 申请号： | 201080034145.3 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102473757A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 宫原弘臣;吴屋真之;坂井智嗣;西宫立享 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;C23C16/24;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 得到一种在光电转换层具备结晶硅i层的高效率的光电转换装置。一种光电转换装置(100)的制造方法，包括形成光电转换层(3)的工序，该光电转换层(3)在基板(1)上具备以结晶硅为主的i层(42)，其中，根据所述i层(42)的拉曼比决定所述i层(42)中的杂质的浓度的上限值，制成该决定的杂质的浓度的上限值以下的所述i层(42)。或者，根据所述i层(42)的拉曼比来决定成膜气氛中的杂质气体的浓度的上限值，以成为该决定的上限值以下的方式控制所述杂质气体的浓度来制成所述i层(42)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置的制造方法，包含在基板上形成光电转换层的工序，该光电转换层具备以结晶硅为主的i层，其中，根据所述i层的拉曼比决定所述i层中的杂质的浓度的上限值，制成该决定的杂质的浓度的上限值以下的所述i层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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