[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201080034430.5 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102473738A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 渠宁;A·格拉赫 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置，其具有沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)，所述沟槽结势垒肖特基二极管具有作为筘位元件的集成PN二极管，所述半导体装置尤其适于作为用在机动车发电机系统中的具有约20V的击穿电压的Z二极管。在此，TJBS由肖特基二极管和PN二极管的组合构成。对于击穿电压，PN二极管的击穿电压(BV_pn)低于肖特基二极管的击穿电压(BV_schottky)。因此，在击穿中，半导体装置可以以高电流运行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
半导体装置，其具有沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)，所述沟槽结势垒肖特基二极管具有作为筘位元件的集成PN二极管，其中，所述沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)由肖特基二极管和PN二极管的组合构成，其特征在于，所述PN二极管的击穿电压(BV_pn)低于所述肖特基二极管的击穿电压(BV_schottky)。
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