[发明专利]磁致伸缩膜、磁致伸缩组件、扭力传感器、力传感器、压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201080034679.6 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102576800A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 本江克次;中岛浩二;石川智仁;杉山雅治;五十岚贵教;脇若弘之;牧野彰宏;井上明久 | 申请（专利权）人： | 都美工业株式会社;国立大学法人信州大学;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L41/12 | 分类号： | H01L41/12;C23C4/06;C23C4/12;G01L1/12;G01L3/10;G01L9/16;H01F10/13;H01L29/84;C22C45/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;冯志云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可在零磁场附近发挥优异的磁致伸缩特性的磁致伸缩膜、及磁致伸缩膜的制造方法。磁致伸缩膜是由熔射形成在被检体上、且以比玻璃迁移温度低且在居里点温度以上进行热处理为特征的金属玻璃膜所构成，且-15kA/m以上、+15kA/m以下的磁场范围中的至少一部分的范围内，显现磁场与磁致伸缩的直线特性。 | ||
| 搜索关键词： | 伸缩 组件 扭力 传感器 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁致伸缩膜，是由金属玻璃的膜所构成，该金属玻璃的膜是熔射形成在被检体上，且以比玻璃迁移温度低且在居里点温度以上进行热处理为特征者，该磁致伸缩膜在‑15kA/m以上、+15kA/m以下的磁场范围中的至少一部分的范围内，显现磁场与磁致伸缩的直线特性。
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